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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 98A; 1,2W; PowerDI®5060-8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-DMT10H010LPS-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMT10H010LPS-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI®5060-8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 98A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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