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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 10,5A; Idm: 120A; 3,1W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMT6012LPSW-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMT6012LPSW-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI5060-8
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 10,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 17mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 22,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 120A
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