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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 65V; 29A; Idm: 140A; 2,12W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMT6017LFV-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMT6017LFV-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI3333-8
Tensione drenaggio-fonte: 65V
Corrente di drenaggio: 29A
Resistenza nello stato di conduzione: 23mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,12W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 15,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±16V
Corrente di drain pulsata: 140A
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