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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 10,3A; Idm: 209A; 2,82W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-DMTH48M3SFVWQ-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMTH48M3SFVWQ-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI3333-8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 10,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,9mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 2,82W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 12,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 209A
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