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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; 200mA; Idm: -0,8A; 150mW


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-EM6J1T2R
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     EM6J1T2R
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOT563
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: 0,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 9,6Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Carico della porta: 1,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: -0,8A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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