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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-FCH072N60F
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCH072N60F
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 33A
Resistenza nello stato di conduzione: 65mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 481W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 165nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 156A
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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