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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-FCP104N60
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCP104N60
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 24A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,104Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 357W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 82nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 111A
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