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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK


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N. Articolo:
     5068-FDB110N15A
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB110N15A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 150V
Corrente di drenaggio: 65A
Resistenza nello stato di conduzione: 11mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 234W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 61nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 369A
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