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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-FDBL86361-F085
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDBL86361-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: H-PSOF8L
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 300A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 429W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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