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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 5,5A; 1,6W; SuperSOT-6


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N. Articolo:
     5068-FDC645N
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDC645N
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SuperSOT-6
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 5,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 48mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
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