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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 6,2A; Idm: 60A; 83W; DPAK


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N. Articolo:
     5068-FDD3860
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD3860
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 6,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 64mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 31nC
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 60A
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