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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 2,1A; Idm: 14A; 40W; DPAK


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-FDD5N50FTM-WS
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD5N50FTM-WS
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 2,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,55Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 40W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 15nC
Tecnologia: DMOS;UniFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 14A
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