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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; 227W; DPAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; 227W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; 227W; DPAK
N. Articolo:
     5068-FDD86567-F085
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD86567-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 227W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 82nC
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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