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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -0,6A; 0,3W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -0,6A; 0,3W
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -0,6A; 0,3W
N. Articolo:
     5068-FDG6308P
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDG6308P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SC70-6;SOT363;SC88
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -600mA
Resistenza nello stato di conduzione: 0,8Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 2,5nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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