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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,2A; Idm: 6A; 2,4W; MicroFET


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-FDMA86108LZ
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMA86108LZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: MicroFET
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 2,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 446mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,4W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 6A
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