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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -7A; Idm: -30A; 2,2W


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N. Articolo:
     5068-FDMB2308PZ
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMB2308PZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: WDFN6
Struttura del semiconduttore: drenaggio comune
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -7A
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 30nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -30A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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