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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-FDMC86160ET100
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMC86160ET100
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: Power33
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 31A
Resistenza nello stato di conduzione: 26mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 65W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 22nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 204A
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