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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 16,5A; 31W; WDFN8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-FDMC8878
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMC8878
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: WDFN8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 16,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 20mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 31W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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