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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -8A; 2,1W; uDFN6


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-FDME910PZT
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDME910PZT
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: uDFN6
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -8A
Resistenza nello stato di conduzione: 36mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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