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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-FDMS4D0N12C
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS4D0N12C
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: PQFN8
Tensione drenaggio-fonte: 120V
Corrente di drenaggio: 114A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 106W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 82nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 628A
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