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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-FDMS86182
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS86182
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: Power56
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 49A
Resistenza nello stato di conduzione: 19,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 37nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 364A
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