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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -150V; -4,4A; Idm: -70A; 2,5W


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N. Articolo:
     5068-FDMS86263P
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS86263P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: Power56
Tensione drenaggio-fonte: -150V
Corrente di drenaggio: -4,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 64mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 63nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: -70A
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