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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,7A; 0,5W; SuperSOT-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,7A; 0,5W; SuperSOT-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,7A; 0,5W; SuperSOT-3
N. Articolo:
     5068-FDN359AN
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDN359AN
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SuperSOT-3
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 2,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 75mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: logic level
Carico della porta: 7nC
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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