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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-FDP8860
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDP8860
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 80A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 254W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 222nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 556A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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