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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,8A; 2,5W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,8A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,8A; 2,5W; SO8
N. Articolo:
     5068-FDS3692
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS3692
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 2,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,122Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 15nC
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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