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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -11A; 2,5W; SO8


Quantità:  pezzi  
Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -11A; 2,5W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -11A; 2,5W; SO8
N. Articolo:
     5068-FDS6675BZ
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS6675BZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -11A
Resistenza nello stato di conduzione: 21,8mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 35nC
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
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