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Articolo
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -11A; 2,5W; SO8
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-FDS6675BZ
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDS6675BZ
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
ONSEMI
Montaggio:
SMD
Corpo:
SO8
Tensione drenaggio-fonte:
-30V
Corrente di drenaggio:
-11A
Resistenza nello stato di conduzione:
21,8mΩ
Tipo del transistor:
P-MOSFET
Potenza dissipata:
2,5W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
35nC
Tecnologia:
PowerTrench®
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±25V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo P
>
Transistori con canale P SMD
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
transistor a effetto campo
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Franco domicilio
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a partire da 600 pezzi
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€ 0,57
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a partire da 2500 pezzi
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€ 0,54
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