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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -3,8A; Idm: -20A; 2W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -3,8A; Idm: -20A; 2W; SO8
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -3,8A; Idm: -20A; 2W; SO8
N. Articolo:
     5068-FDS9933A
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS9933A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -3,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 10nC
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -20A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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