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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -15,6A; 125W; D2PAK


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -15,6A; 125W; D2PAK
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -15,6A; 125W; D2PAK
N. Articolo:
     5068-FQB22P10TM
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQB22P10TM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -15,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,125Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 50nC
Tecnologia: QFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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