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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 2,47A; Idm: 15,6A; 130W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-FQI4N80TU
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQI4N80TU
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: I2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 2,47A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,6Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 130W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 25nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 15,6A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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