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Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
N. Articolo:
     5068-GT30J121Q
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     GT30J121(Q)
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: THT
Corpo: TO3PN
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 30A
Corrente del collettore nel impulso: 60A
Tempo d'avvio: 240ns
Tempo d'interruzione: 430ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 170W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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