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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
N. Articolo:
     5068-IPB015N04NGATMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB015N04NGATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor dual
FET di giunzione
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: PG-TO263-3
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 250W
Polarizzazione: unipolare
Tecnologia: OptiMOS™ 3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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