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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
N. Articolo:
     5068-IPB027N10N3GATMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB027N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: PG-TO263-7
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Tecnologia: OptiMOS™ 3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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