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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
N. Articolo:
     5068-IPB107N20NAATMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB107N20NAATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: PG-TO263-3
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 88A
Resistenza nello stato di conduzione: 10,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Tecnologia: OptiMOS™ 3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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