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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
N. Articolo:
     5068-IPB50R299CPATMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB50R299CPATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: PG-TO263-3
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,299Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 104W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: CoolMOS™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Riepilogo condizioni1
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