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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-IPP65R190C6XKSA1
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPP65R190C6XKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio:
THT
Corpo:
PG-TO220-3
Tensione drenaggio-fonte:
650V
Corrente di drenaggio:
20,2A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,19Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
151W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Tecnologia:
CoolMOS™
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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INFINEON 2EDN7524RXUMA1 Corrente di Source (Sorgente) 5 A Tipo di Interruttore
Infineon
2EDN7524RXUMA1
a partire da € 0,598*
Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7523FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7523FXTMA1
a partire da € 0,434*
Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7524FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7524FXTMA1
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