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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -0,7A; 1,3W; DIP4


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -0,7A; 1,3W; DIP4
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -0,7A; 1,3W; DIP4
N. Articolo:
     5068-IRFD9120PBF
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFD9120PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: DIP4
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -0,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,6Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,3W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 18nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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