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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 11A; 125W; TO220AB


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 11A; 125W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-IRL640PBF
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRL640PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 11A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,27Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 66nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
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