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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 156A; 195W; D2PAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 156A; 195W; D2PAK
N. Articolo:
     5068-IRLS3813TRLPBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRLS3813TRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 156A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,95mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 195W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 55nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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