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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
N. Articolo:
     5068-IXBF20N300
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBF20N300
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Tensione collettore-emettitore: 3kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 34A
Corrente del collettore nel impulso: 130A
Tempo d'avvio: 64ns
Tempo d'interruzione: 0,3µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 150W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 105nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: BiMOSFET™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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