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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W
N. Articolo:
     5068-IXBF40N160
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBF40N160
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Tensione collettore-emettitore: 1,6kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 16A
Corrente del collettore nel impulso: 40A
Tempo d'avvio: 260ns
Tempo d'interruzione: 340ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 250W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 130nC
Tecnologia: BiMOSFET™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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