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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 25A; 300W; PLUS247™


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 25A; 300W; PLUS247™
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 25A; 300W; PLUS247™
N. Articolo:
     5068-IXBX25N250
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBX25N250
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS247™
Tensione collettore-emettitore: 2,5kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 25A
Corrente del collettore nel impulso: 180A
Tempo d'avvio: 694ns
Tempo d'interruzione: 650ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 300W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 103nC
Tecnologia: BiMOSFET™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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