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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
N. Articolo:
     5068-IXFA4N100Q
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFA4N100Q
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263AA
Tempo di prontitudine: 250ns
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 3Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 150W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 39nC
Tecnologia: HiPerFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 16A
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