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Modulo; transistor singolo; 1kV; 44A; SOT227B; avvitabile; 830W


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Informazioni sul prodotto
Modulo; transistor singolo; 1kV; 44A; SOT227B; avvitabile; 830W
Modulo; transistor singolo; 1kV; 44A; SOT227B; avvitabile; 830W
N. Articolo:
     5068-IXFN52N100X
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFN52N100X
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tempo di prontitudine: 260ns
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 44A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,125Ω
Potenza dissipata: 830W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Carico della porta: 245nC
#Offerte #promozionali: ixys_202106;aac_202202
Tecnologia: HiPerFET™;X-Class
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±40V
Corrente di drain pulsata: 100A
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