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Modulo; transistor singolo; 600V; 50A; SOT227B; avvitabile; 700W


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Informazioni sul prodotto
Modulo; transistor singolo; 600V; 50A; SOT227B; avvitabile; 700W
Modulo; transistor singolo; 600V; 50A; SOT227B; avvitabile; 700W
N. Articolo:
     5068-IXFN64N60P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFN64N60P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tempo di prontitudine: 200ns
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 50A
Resistenza nello stato di conduzione: 96mΩ
Potenza dissipata: 700W
Polarizzazione: unipolare
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Carico della porta: 200nC
Tecnologia: HiPerFET™;PolarHV™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±40V
Corrente di drain pulsata: 150A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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