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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 1kV; 2,1A; Idm: 8A; 40W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 1kV; 2,1A; Idm: 8A; 40W
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 1kV; 2,1A; Idm: 8A; 40W
N. Articolo:
     5068-IXFP4N100PM
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFP4N100PM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tempo di prontitudine: 300ns
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 2,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,3Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 40W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 26nC
Tecnologia: HiPerFET™;Polar™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 8A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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