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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
N. Articolo:
     5068-IXFT150N20T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFT150N20T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 100ns
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 150A
Resistenza nello stato di conduzione: 15mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 890W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: thrench gate power mosfet
Carico della porta: 177nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Riepilogo condizioni1
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