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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
N. Articolo:
     5068-IXFT170N25X3HV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFT170N25X3HV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268HV
Tempo di prontitudine: 140ns
Tensione drenaggio-fonte: 250V
Corrente di drenaggio: 170A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,4mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 890W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: ultra junction x-class
Carico della porta: 0,19µC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Riepilogo condizioni1
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