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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
N. Articolo:
     5068-IXFX66N85X
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFX66N85X
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS247™
Tempo di prontitudine: 250ns
Tensione drenaggio-fonte: 850V
Corrente di drenaggio: 66A
Resistenza nello stato di conduzione: 65mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,25kW
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: ultra junction x-class
Carico della porta: 230nC
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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