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Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
N. Articolo:
     5068-IXGF32N170
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGF32N170
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Tensione collettore-emettitore: 1,7kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 19A
Corrente del collettore nel impulso: 200A
Tempo d'avvio: 90ns
Tempo d'interruzione: 920ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 200W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 146nC
Tecnologia: NPT
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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MGJ2D051509SC
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Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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