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Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolare; 100V; 130A; Idm: 350A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXTA130N10T-TRL
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTA130N10T-TRL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tempo di prontitudine: 77ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 130A
Resistenza nello stato di conduzione: 9,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 360W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 104nC
Tecnologia: TrenchMV™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 350A
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